삼성전자가 메모리 사업에서 차세대 공정을 통한 초격차 전략에 집중하겠다는 뜻을 밝혔다. 

삼성전자는 20일 서초사옥 다목적홀에서 주주, 기관투자자, 김기남 대표이사(부회장), 김현석 대표이사(사장), 고동진 대표이사(사장) 등 1000여 명이 참석한 가운데 '제50기 정기 주주총회'를 개최했다.

이날 의안 상정에 앞서 DS부문장 김기남 부회장, CE부문장 김현석 사장, IM부문장 고동진 사장이 각 사업부문별 경영현황에 대해 설명하고, 참석한 주주들의 질문에 답변했다.

부품 부문에서 삼성전자는 지난해 매출 119조원, 영업이익 46조 5000억원을 달성했다. 글로벌 시장에서 D램, 낸드, DDI(Display Driver IC), OLED 제품은 시장점유율 1위를 달성했다. 

메모리 사업은 고수익, 차별화 제품을 확대하며 지난해 대비 20% 성장한 72조원의 매출을 달성했다. 지난해 역대 최대 실적을 경신하며 업계 1위를 유지했다.

2세대 10나노급 D램 양산, 5세대 V낸드 업계 최초 개발과 함께, 파운드리는 극자외선 노광장비인 EUV(Extreme Ultra Violet)를 업계 최초로 적용한 7나노 공정을 개발해 기술 리더십을 강화했다.

시스템 LSI는 차세대 성장 동력인 SoC(System on Chip) 사업 확대를 위해 CDMA 모뎀 상용화, 차량용 브랜드인 '엑시노스 오토(Exynos Auto)' 출시로 사업 포트폴리오를 강화했다.

디스플레이는 플렉서블 OLED 인피니티-O 디스플레이를 개발해 갤럭시 S10에 적용했고, 8K∙초대형 TV 패널 등 고부가 제품의 판매를 확대하며 수익성 개선 꾀한다는 방침이다. 

김기남 부회장은 "올해 경영환경 불확실성이 증대되고 있으며, 부품 수요를 견인했던 스마트폰 시장 성장 둔화와 데이터센터 업체의 투자 축소 등으로 어려운 한해가 될 것"이라고 전망했다.

그러면서 "4차 산업혁명 시대의 도래에 따라 5G∙AI∙데이터센터∙차량용 반도체 등 신성장 분야의 수요는 지속적으로 증가하고 있다"며 "위기 속에서도 기회는 존재할 것"이라고 예상했다.

삼성전자는 3세대 10나노급 D램, 6세대 V낸드 개발로 차세대 공정에 대한 기술 격차 확대에 주력하는 한편, HBM(High Bandwidth Memory) 등 차별화된 제품 개발을 통해 높은 성장이 예상되는 신사업 분야에서 주도권을 확보한다는 계획이다.